단계 I: 초기 칩 파운드리는 높은 이익 마진을 가졌다. 그들은 주로 저전력의 100-150mm 마그네트론 스퍼터링 기계를 사용합니다. 스퍼터링 필름은 두껍고 칩 크기가 큽니다.
그 당시,티타늄 타겟집적 회로의 경우 주로 100-150mm 단량체 및 복합 타겟이었다.
단계 II.:
두 번째 단계에서는 무어의 법칙에 따라 칩 선폭이 좁아집니다. 이익을 높이기 위해 칩 파운드리는 주로 150-200mm 스퍼터링 장비를 사용하여 장비의 스퍼터링 전력을 높였습니다. 이를 위해서는 높은 열전도율, 저렴한 가격 및 특정 강도를 유지하면서 목표물의 크기를 늘려야합니다. 이 기간 동안,티타늄 타겟주로 알루미늄 합금 백플레인의 확산 용접과 구리 합금 백플레인의 브레이징 및 용접으로 구성됩니다.
단계 III :
세 번째 단계에서는 집적 회로의 개발과 함께 칩 라인의 폭이 더욱 좁아집니다. 현재 칩 파운드리는 주로 200-300mm 스퍼터링 기계를 사용하며 대상 재료에 대한 요구 사항은 더욱 엄격합니다. 이 기간 동안,Ti 대상주로 구리 합금 백 플레이트 확산 용접으로 만들어집니다.
